一、丹佛斯變頻器機柜安裝（FC111為例）
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10月變頻器IGBT工作原理和檢測方法
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，因此，可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 （10-40 kHz） 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發展最為迅速的新一代電力電子器件，也是變頻器的重要元件之一。
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一臺阿爾法變頻器，畫出U相上下臂IGBT的驅動電路圖，可以看到，每相下臂IGBT的驅動電路共用D51、E32直流電源。驅動供電也由穩壓電路分為+15V和-7.2V兩路電源，以形成對IGBT供電的+15V激勵電壓回路和-7.2V的截止電壓回路。驅動IC（A316J）的左側引腳為輸入側電路，右側引腳為輸出側電路。無論是脈沖信號還是OC故障信號，都由內部光耦合器電路相隔離。由PC929相比，因內部已有對OC信號的隔離，可省去外接光耦合器，并且脈沖信號、OC信號和故障復位信號可經控制端子CNN1直接與CPU脈沖輸出引腳相連。在有的變頻器電路中，僅是下三臂IGBT驅動電路采用A316J，上三管采用TLP250等。
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西門子MM420變頻器出現故障時，會面面板上顯示報警和故障代碼，我們可以根據故障代碼定位故障，并采取相應的應對措施
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